其中,γn_dot = V/H 為表觀剪切率 (nominal or apparent shear rate),Vs 為滑動速度,V (= 2Vs + HγT_dot) 為上板的移動速度。若將 Fig. 4.1 的外插長度 b (= Vs/γT_dot) 代入 Eq. 1,可以得到
Figure 4.1 |
由 Eq. 2 得知,當 b << H 時,則壁滑效應對剪切流場的影響可以被忽略,也就是沒有壁滑動。如果平板間距 H (plan separation) 夠小,導致真實剪切率不等於表觀剪切率,則透過表觀剪切率量測,Vs 和 b 可以在固定剪切應力的情況下決定之 (實驗在任意兩個不同的板距 H1、H2 進行)
其中,α = γn_dot(H2)/γn_dot(H1)。Equations 3 和 4 背後的假設是,在不同板距 H1、H2 時,若剪切應力相同,所對應的真實壁剪切率相同 (即 γT_dot(H1) = γT_dot(H2);應力與剪切率有一對一的對應關係),且 Vs 和 b 為剪切應力的函數。Figure 4.3 是利用平面庫頁特流場,定量窄分子量分佈的纏結 1,4-polybutadiene 之壁滑動 (Mw = 3.15×105 g/mol; Mw/Mn = 1.04),圖中繪製穩態剪切力 σss (steady-state shear stress) 對表觀剪切率 γn_dot 的數據。除了在最低的剪切力值較不明顯外,隨著 H 變小,需要施予越來越大的表觀剪切率,才能產生同樣大小的剪切應力值,表示壁滑動越來越明顯。使用 Eq. 3,得到 b 值為 85 ± 9 μm;使用 Eq. 4,得知 Vs 隨剪切應力呈線性增加。
Figure 4.3 |
Hatzikiriakos 和 Dealy [1991] 成功使用平面庫頁特剪切流定量 HDPE 樹脂之壁滑,他們將 γT_dot 對 1/H 的作圖,發現是線性的,並且斜率隨剪切應力 σ 增加而變大;見 Fig. 3。由直線的擬合 (straight-line fits) 取得的壁滑速度指出兩個流動區間,當 σc ≅ 0.09 MPa,無壁滑的條件成立;當 σ > σc,壁滑非常明顯 Vs~O(104 μm)。而且在高剪切應力下,壁滑速度是應力和溫度的函數 Vs = mσn,其中,n 值約 3.3 且其值基本上與溫度無關,m 隨溫度和基材表面化學 (substrate surface chemistry) 而變;見 Fig. 4。Hatzikiriakos 和 Dealy 更發現,常用於關聯整體高分子流變性質與溫度的 Williams-Landel-Ferry (WLF) 方程式,足以描述 m 的溫度相依性,這指出 Vs 和流體流變的關係。
壁滑速度隨著溫度升高而變大 |
γT_dot = γn_dot(H1) - 4Vs/R (5)
Vs = [γn_dot(R1)R1R2/(4(R2 - R1))] (1 - β) (6)
其中,β = γn_dot(R2)/γn_dot(R1)。
Reference: SG Hatzikiriakos, KG Migler (eds.), Polymer Processing Instabilities: Control and Understanding (Marcel Dekker 2005), Chapter 4, by LA Archer.
Reference: SG Hatzikiriakos, KG Migler (eds.), Polymer Processing Instabilities: Control and Understanding (Marcel Dekker 2005), Chapter 4, by LA Archer.
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