η = τrz|r=R / (- dvz/dr|r=R) = τR/γ ̇R (1)
然而,對於流速分佈未知的通用流體 (general fluid),我們需透過 Weissenberg-Rabinowitsch 修正法 (Eq. 2),將表觀的壁剪切率 (γ ̇a) 修正成真實的壁剪切率 (γ ̇R) 後,才能將真實的壁剪切率代入 Eq. 1 估算黏度。
然而,於推導 Eq. 2 時,其背後的假設是沒有壁滑動 (no slip)。但是,這假設在高剪切應力 (或剪切率) 時可能已被違反。
如 Fig. 10.9b 所示,壁滑的效應將減少流體所受形變程度,換句話說,壁滑效應將使流體經歷的整體剪切率變小。由於壁滑發生在流體與毛細管的界面,因此這個效應在管壁處特別明顯。不過,管壁的剪切應力 τR = ΔPR/2L 卻不受此邊界條件改變而受影響。
Figure 10.9 (a) 無壁滑、(b) 壁滑現象 (管壁剪切率較小) |
為了計算壁滑發生之流體黏度,我們必需知道管壁處的真實剪切率。Mooney 修正方法可以協助我們估算壁滑現象發生之真實壁剪切率。簡單來說,此分析方法的第一步是將表觀的剪切率針對壁滑予以修正。第二步是將此修正的剪切率透過常用的 Weissenberg-Rabinowitsch 方程式予以再次修正。透過上述兩步的修正後,便可取得真實的壁剪切率。
更詳細地說,表觀的壁剪切率 (γ ̇a) 一般表示成
其中,vz,av = Q/πR2 是毛細管內平均的流體速度。當壁滑發生時,流量 Q 將增大,所以 Eq. 3 將高估表觀的壁剪切率;事實上,管壁附近的剪切率反而因壁滑現象而變小 (Fig. 10.9b)。如果我們以 vz,av - vz,slip 取代 Eq. 3 的 vz,av (vz,slip 是壁滑動速度 (wall slip velocity)),我們可以得到一個經修正的壁剪切率 (corrected wall shear rate)
經移項可得
4vz,av/R = γ ̇a,slip-corrected + 4vz,slip/R (5)
根據 Eq. 5,我們假設 vz,slip 僅為壁剪切應力 (τR) 的函數。所以,在固定壁剪切應力 τR 下 (= △pR/2L),將表觀的壁剪切率 4vz,av/R (= γ ̇a = 4Qmeasured/πR3) 對半徑倒數 1/R 作圖,可以得到斜率 4vz,slip、截距 γ ̇a,slip-corrected 的數條直線。[註: 使用的毛細管均需具相同的 L/R 值,這樣可以確保在相同的 τR 下,△p 相同]
Figure 10.10 是符合此趨勢的 LLDPE 熔體之數據 (linear low-density polyethylene melt)。當壁剪切力大於等於臨界值 0.2 MPa (即 △pR/2L ≥ 0.2 MPa),vz,slip 將不為零且其值隨壁剪切力增加而變大。反之,當壁剪切力小於臨界值 0.2 MPa,斜率為零,表示無壁滑現象,也就是說,表觀的壁剪切率不隨管徑改變而不同,例如,Figure 10.10 圖中壁剪切力較低的情況 (△pR/2L = 0.01 和 0.05 MPa)。
Figure 10.10 是採用毛細管黏度計的等壓模式 (constant pressure mode) 取得,然而,實驗的經驗告訴我們,相較於等速模式 (constant speed mode),等壓模式的數據擷取較耗時 (PID 控制較不易),所耗費的樣品體積過多,故在料筒體積有限的限制下,需進行較多次的實驗才能收集完整的壁剪應力範圍。
為了克服 (1) 有限的毛細管幾何選擇 (一般實驗室不會專門訂製三個 L/R 值相同但 R 值不同的毛細管),以及 (2) 等壓模式的實驗耗時問題,我們必需採取非典型的做法如下。第一步,使用等速模式,收集相同長度但不同半徑毛細管 (至少三個半徑) 之穩態壁剪切應力對表觀壁剪切率數據;第二步,使用 Cross model 擬合實驗數據,再將擬合結果轉繪成表觀壁剪切率對半徑倒數之圖 (即 Fig. 10.10)。
Figure 10.10 LLDPE 熔體的表面剪切率對毛細管半徑倒數之作圖。每條直線代表不同的壁剪切應力 (△pR/2L),越是水平的線代表越少壁滑動 (例如應力為 0.01 和 0.05 MPa),壁滑速度可由斜率除以 4 近似之 |
外插長度 b (extrapolation length) 是另一種呈現壁滑程度的方法,如 Fig. 10.11 所示,b 是速度外插至零對應的長度。透過下式 (Eq. 5) 定義可得 b 之值,於 Eq. 5 中,v1,slip 是透過 Mooney 分析方法估算的壁滑動速度,而 γ ̇R,slip-corrected 是經過兩次修正的剪切率 (doubly corrected shear rates)。
(6)
外插長度 b 常見於壁滑分子成因之理論探討,因為分子模型可以預測 b 如何隨分子結構改變,例如,分子量和單體性質。
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